特許

J-GLOBAL ID：200903036194784384

半導体発光素子

発明者： 倉又 朗人
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-119950
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326817
出願日： 1994年06月01日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【目的】 バンドギャップを大きくする組成を採用しても,クラッド層のキャリア濃度を大きくする。【構成】 1)II-VI 族化合物半導体を用いて構成される発光素子であって,p型クラッド層がMg, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni の少なくとも1つの元素を含む材料からなる超格子構造である,2)超格子構造を構成する2つの層の内,少なくとも片方の層のみにp型不純物がドーピングされている,3)超格子構造がMgx Zn1-x Sy Se1-y /Mgx' Zn1-x' Se1-y' ,4)前記4に記載のMgの代わりに,Ca,Sc,Ti, V,Cr,Mn,Fe,Co,Niの内のいずれか1つの元素で構成される,5)p型不純物がN, P, As,Sb, Bi, Li, Na, K, Rb,Csの少なくとも1つの元素である。

請求項（抜粋）：

II-VI 族化合物半導体を用いて構成される発光素子であって,p型クラッド層がMg, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni の内の少なくとも1つの元素を含む材料からなる超格子構造であることを特徴とする半導体発光素子。