特許

J-GLOBAL ID：200903036198349151

電子装置に保護被膜を形成する方法

発明者： ロバート チャールズ キャミレッティ ,  ローレン アンドリュー ハルスカ ,  キース ウィントン マイケル
出願人/特許権者： ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
代理人 (1件)： 石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-147602
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107024
出願日： 1997年06月05日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 ハーメチック保護に用いられ、不法なプローブ、検査、侵入に対して電子装置の保護を強化した、多層被膜を提供すること。【解決手段】 最初に電子装置の表面に水素シルセスキオキサン樹脂(H樹脂)を適用した後、前記樹脂を加熱してシリカ含有セラミック層に変換させる。次いで、炭化ケイ素被膜を前記第1被膜の上にCVDで形成する。次いで、前記炭化ケイ素被膜の表面に不透明多孔質シリカ含有セラミックの第3層を、再びH樹脂を適用した後加熱て多孔質シリカ含有セラミックに変換して形成する。この多孔質シリカ含有セラミックの第3層に不透明材料または充填剤を含む物質を含浸する。第4層は金属または合金である。次に、実質的に第3不透明多孔質シリカ含有セラミック層と同じ第5層で被覆する。しかしながら、第5不透明層の組成は第3不透明層の組成と異なることが好ましい。

請求項（抜粋）：

A)電子装置の表面に水素シルセスキオキサン樹脂を含む第1組成物を適用する工程、B)前記第1組成物を、水素シルセスキオキサン樹脂がシリカ含有セラミックに変換されるのに充分な温度に加熱する工程、C)前記シリカ含有セラミックの表面に化学気相堆積法で炭化ケイ素層を適用する工程、D)前記炭化ケイ素層の表面に水素シルセスキオキサン樹脂を含む第2組成物を適用する工程、E)前記第2組成物を、前記第2組成物中の水素シルセスキオキサン樹脂が多孔性シリカ含有セラミックに変換されるのに充分な温度に加熱する工程、F)任意に前記工程E)の前記多孔性シリカ含有セラミックに不透明材料または充填剤を含む物質を含浸させる工程、G)工程E)またはF)の前記多孔性シリカ含有セラミック上に金属層または金属パターンを堆積する工程、H)前記金属または金属パターン層上に水素シルセスキオキサン樹脂を含む第3組成物を適用する工程、I)前記第3組成物を、前記第2組成物中の水素シルセスキオキサン樹脂が多孔性シリカ含有セラミックに変換されるのに充分な温度に加熱する工程、およびJ)任意に前記工程I)の前記多孔性シリカ含有セラミックに前記と同じまたは異なる不透明材料または充填剤を含む物質を含浸させる工程を含むことを特徴とする電子装置に保護被膜を形成する方法。

IPC (10件)：

H01L 21/314 ,  C04B 41/90 ,  C08G 77/12 ,  C23C 16/42 ,  C23C 28/04 ,  C30B 29/36 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (11件)：

H01L 21/314 M ,  C04B 41/90 Z ,  C08G 77/12 ,  C23C 16/42 ,  C23C 28/04 ,  C30B 29/36 A ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/56 R ,  H01L 21/56 F ,  H01L 23/30 D ,  H01L 23/30 B