特許

J-GLOBAL ID：200903036200118111

ダイヤモンド状炭素薄膜及び異種原子置換ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法

発明者： 松井 丈雄 ,  大木 芳正 ,  湯田坂 雅子
出願人/特許権者： 新技術事業団 ,  松井 丈雄 ,  大木 芳正
代理人 (1件)： 田中 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-320077
公開番号（公開出願番号）：特開平9-118976
出願日： 1995年12月08日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：

【要約】【目的】レーザーアブレーション法において、ダイヤモンド状炭素薄膜、及び、ダイヤモンド状炭素の炭素を様々な異種原子で置換した異種原子置換ダイヤモンド状炭素薄膜を形成する方法を提供する。【構成】レーザーアブレーション法によって、基板上にダイヤモンド状炭素薄膜又は異種原子置換ダイヤモンド状炭素薄膜を蒸着して成膜するに際し、ターゲットに高分子材料、又は、異種原子を組成として持つ化合物を高分子に混入させた高分子材料、もしくは、異種原子が結合した状態の高分子材料を使用することを特徴とするダイヤモンド状炭素薄膜の成膜方法である。

請求項（抜粋）：

レーザーアブレーション法によって、基板上にダイヤモンド状炭素薄膜を蒸着して製造するに際し、ターゲットに高分子材料を使用することを特徴とするダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

C23C 14/28 ,  C23C 14/06 ,  C23C 16/26 ,  C30B 25/00 ,  C30B 29/06 504 ,  B23B 27/14

FI (6件)：

C23C 14/28 ,  C23C 14/06 F ,  C23C 16/26 ,  C30B 25/00 ,  C30B 29/06 504 A ,  B23B 27/14 A