特許

J-GLOBAL ID：200903036203405499

半導体装置と半導体装置の製造方法

発明者： 竹中 計廣
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-281807
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114419
出願日： 1998年10月02日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】多層配線をもつ半導体装置において配線間の接続において微細化しても接触抵抗が小さく、かつ、配線ピッチを縮小できる半導体装置、およびその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の半導体装置は第一層配線と第二層配線を接続する接続孔が、第一層配線を貫通していることを特徴とする。【効果】配線間の接触抵抗が低く、また、配線ピッチを詰められる。

請求項（抜粋）：

アルミニウム(以下、AL)を主成分とした配線が2層以上形成された半導体装置において、下部に位置する第一層配線と上部に位置する第二層配線を接続する接続孔が、第一層配線を貫通していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/14 ,  H05K 3/46

FI (3件)：

H01L 23/12 N ,  H05K 3/46 N ,  H01L 23/14 M

Fターム (5件)：

5E346AA45 ,  5E346BB11 ,  5E346CC34 ,  5E346GG15 ,  5E346GG22