特許

J-GLOBAL ID：200903036212881848

オーミック電極とその形成方法

発明者： 鈴木 譲
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-171260
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012831
出願日： 1998年06月18日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】 III-V族窒化物系化合物半導体用であって、耐熱性が優れているオーミック電極とその形成方法を提供する。【解決手段】 このオーミック電極は、III-V族窒化物系化合物半導体から成るn型層2の上に形成され、Al層3aとTi層3bとAu層3cとをこの順序で積層して成り、Al層3aの厚みは200nm未満であり、これは、III-V族窒化物系化合物半導体から成るn型層の上にAl層とTi層とAu層をこの順序で積層したのち、窒素雰囲気下において温度400〜700°Cで3分〜250時間の熱処理を施して形成される。

請求項（抜粋）：

III-V族窒化物系化合物半導体から成るn型層の上に形成され、Al層とTi層とAu層とをこの順序で積層して成ることを特徴とするオーミック電極。

IPC (3件)：

H01L 29/43 ,  C23C 14/58 ,  H01L 21/28 301

FI (3件)：

H01L 29/46 H ,  C23C 14/58 A ,  H01L 21/28 301 H

Fターム (30件)：

4K029AA04 ,  4K029BA03 ,  4K029BA05 ,  4K029BA17 ,  4K029BB02 ,  4K029BD02 ,  4K029CA01 ,  4K029EA01 ,  4K029GA01 ,  4K029GA05 ,  4K029HA00 ,  4M104AA01 ,  4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104CC01 ,  4M104DD07 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104DD79 ,  4M104FF13 ,  4M104FF22 ,  4M104GG04 ,  4M104GG06 ,  4M104GG11 ,  4M104GG12 ,  4M104HH08 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20