特許
J-GLOBAL ID：200903036214918781
半導体集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-231622
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055652
出願日： 1995年09月08日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：
【要約】【課題】【解決手段】 低電源電圧化した場合でも回路動作マージンを損なうことなく、かつスタンドバイ電流を低減することができ、より高速動作に適した半導体集積回路を提供すること。【構成】 ゲートが共通接続され、電源Vccと接地Vss間にpMOSトランジスタMp(Mp1,Mp2,Mp3)とnMOSトランジスタMn (Mn1,Mn2,Mn3)が直列接続されたインバータ回路I(I1,I2,I3 )を3段接続してなる回路列を有するバッファ回路において、各MOSトランジスタがSOI基板上に形成され、3段目のインバータ回路I3 を構成する各MOSトランジスタMp3,Mn3の基板領域に、1段目のインバータ回路I1 の入力端子が接続されていること。
請求項（抜粋）：
ゲートが共通接続され、電源と接地間にpMOSトランジスタとnMOSトランジスタが直列接続されたインバータ回路を、n段(n≧3)接続してなる回路列を有する半導体集積回路において、前記回路列のk段目(k≧3)のインバータ回路を構成する各MOSトランジスタの基板領域に、前記回路列のk-2m(m=1,2,...、但し2m≦k-1)段目のインバータ回路の入力端子を接続してなることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
H03K 19/0175
, H03K 19/0948
H03K 19/00 101 F
, H03K 19/094 B
