エッチング方法およびエッチング装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-082478
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283396
出願日： 1992年04月03日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は、ヘテロ接合を有するN型半導体層およびP型半導体層においてN型半導体層のみエッチングすることができかつP型半導体層の表面を再現性よく露出させることができるエッチング方法およびエッチング装置を提供することである。【構成】本発明に基づくエッチング装置は、エッチング容器2内に電解液3が収容され、その電解液3を通して半導体ウェハ1の表面に光源5から光が照射されるように構成される。また、エッチング装置はエッチングの進行状況をモニタするための電流計8を備えている。

請求項（抜粋）：

ヘテロ接合を有するN型半導体層およびP型半導体層のうちN型半導体層をエッチングする方法であって、前記N型半導体層およびP型半導体層のうち前記N型半導体層の表面に予め定められた電解液を接触させ、前記N型半導体層の半導体材料の禁制帯幅に相当する波長よりも短い波長の光を前記電解質を通して前記N型半導体層の表面に照射する、エッチング方法。

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