特許

J-GLOBAL ID：200903036221761537

半導体集積回路

発明者： 茂原 宏 ,  岩本 美宏
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-286725
公開番号（公開出願番号）：特開平9-238066
出願日： 1996年10月29日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：

【要約】【課題】複数の出力を接続して使用する場合に、集積回路内部の電源電圧よりも高い電圧が信号出力端子に印加された場合でも内部素子の信頼性が損なわれることのないようにする。【解決手段】ソースとバックゲートとが電位的に分離され、ソース、ドレイン間の電流通路の一端が直接に信号出力端子IOに接続されたPMOSトランジスタP8又はPMOSトランジスタP5を介して端子IOに接続されたPMOSトランジスタP6を有し、このトランジスタP8又はP6のソース、ドレイン間の電流通路の一端の電圧に応じた値の制御信号VBを発生してトランジスタP8又はP6のゲートに供給し、この制御信号VBによってトランジスタP8又はP6をオン状態に設定する際に、そのソース、ドレイン間の電流通路の一端とゲートとの間の電位差が所望する値以内となるように上記制御信号の電圧を制御する。

請求項（抜粋）：

信号出力端子と、ソース、ドレイン、ゲート及びバックゲートを有し、ソースとバックゲートとが電位的に分離され、ソース、ドレイン間の電流通路の一端が直接に又はスイッチ素子を介して上記信号出力端子に接続された第1のMOSトランジスタと、上記信号出力端子の電圧又は上記第1のMOSトランジスタのソース、ドレイン間の電流通路の一端の電圧に応じた値の制御信号を発生して第1のMOSトランジスタのゲートに供給し、この制御信号によって上記第1のMOSトランジスタをオン状態に設定する際に、上記第1のMOSトランジスタのソース、ドレイン間の電流通路の一端とゲートとの間の電位差が所望する値以内となるように上記制御信号の電位を制御する制御回路とを具備したことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (7件)：

H03K 19/0175 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H03K 17/08 ,  H03K 17/687 ,  H03K 19/003 ,  H03K 19/0948

FI (6件)：

H03K 19/00 101 J ,  H03K 17/08 C ,  H03K 19/003 E ,  H01L 27/08 321 L ,  H03K 17/687 F ,  H03K 19/094 B