特許

J-GLOBAL ID：200903036222580447

ホウ化物超伝導体薄膜の作製方法

発明者： 植田 研二 ,  内藤 方夫
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 雨宮 正季
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-255904
公開番号（公開出願番号）：特開2003-063817
出願日： 2001年08月27日
公開日（公表日）： 2003年03月05日
要約：

【要約】【課題】精度よくホウ化物薄膜を作製する。【解決手段】超高真空中で、MgおよびBを電子ビーム照射により蒸発させ、400°C以下の成長温度で、MgB2で示されるホウ化物薄膜を作製することを特徴とする。【効果】低い成長温度でホウ化物薄膜を電子ビーム法により作製するため、マグネシウムが蒸発しにくく、作製されるホウ化物薄膜の構造変化を抑制でき、精度よく所望のホウ化物薄膜を作製できるという利点がある。また、前記ホウ化物薄膜の成長を超高真空中で行うので、マグネシウムの酸化を抑制することが可能で、同様に構造変化が抑制された良好なホウ化物超伝導体薄膜を作製できるという利点がある。

請求項（抜粋）：

超高真空中で、MgおよびBを電子ビーム照射により蒸発させ、400°C以下の成長温度で、MgB2で示されるホウ化物薄膜を作製することを特徴とするホウ化物超伝導体薄膜の作製方法。

IPC (5件)：

C01B 35/04 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C23C 14/24 ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24

FI (5件)：

C01B 35/04 ZAA C ,  C01G 1/00 S ,  C23C 14/24 N ,  H01B 13/00 565 Z ,  H01L 39/24 B

Fターム (25件)：

4G047JA03 ,  4G047JC16 ,  4G047KE01 ,  4G047LB02 ,  4K029AA02 ,  4K029AA04 ,  4K029AA06 ,  4K029AA07 ,  4K029AA24 ,  4K029AA25 ,  4K029BA53 ,  4K029BC04 ,  4K029DB21 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  4M113AD36 ,  4M113BA12 ,  4M113CA39 ,  4M113CA43 ,  5G321AA98 ,  5G321BA07 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321DB35 ,  5G321DB36