特許
J-GLOBAL ID：200903036233153052
有機金属気相エピタキシャル成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-004003
公開番号（公開出願番号）：特開平10-199816
出願日： 1997年01月13日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】 安定性が高く、有機金属原料の供給量を精密に制御することが可能な有機金属気相エピタキシャル成長方法を提供する。【解決手段】 混晶を成長させる際に、原料となる有機金属を予め混合して同一の容器34内に収容しておき、この容器34から原料33の混合気を供給する。混合気内の原料の比率は、各々の原料33の蒸気圧で決まるため、任意の比率には混合できないが、一旦、所望の比率の混合気を取り出すことができれば、非常に安定になる。原料33の物性により混晶比が一義的に決まるため、組成制御は不要となる。
請求項（抜粋）：
有機金属気相エピタキシー法により少なくとも3種類の元素からなる混晶エピタキシャル層を成長させる方法において、混晶エピタキシャル成長に使用する有機金属原料のうち、少なくとも2種類の原料を混合して同一の容器内に収容し、これらの原料を混合したままの状態で蒸発させ、反応炉内に供給してエピタキシャル成長させることを特徴とする有機金属気相エピタキシャル成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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