特許
J-GLOBAL ID：200903036234810340
半導体レーザモジュール
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-003201
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196684
出願日： 2000年01月12日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：
【要約】【課題】 互いに接着固定される半導体レーザ素子と光波長変換素子とからなる半導体レーザモジュールにおいて、接着剤層の両側(半導体レーザ素子側と光波長変換素子側)の部材の熱膨張差によって両素子間に位置ずれが生じたり、接着剤層が剥離してしまうことを防止する。【解決手段】 基本波を発生する光源である半導体レーザ素子10と、この半導体レーザ素子10からの基本波が入射する光導波路17を有する光波長変換素子12とが、前者の光出射端面と後者の光入射端面とを相近接させて光学的に直接結合されてなる半導体レーザモジュールにおいて、半導体レーザ素子10と光波長変換素子12とを接着剤15によって固定し、その接着剤15として、半導体レーザモジュールの使用温度下におけるJIS規格番号K6253によるデュロメータ硬さ試験タイプDで測定された硬度が80未満のものを用いる。
請求項（抜粋）：
基本波を発生する光源である半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子からの基本波が入射する光導波路を有する光波長変換素子とが、前者の光出射端面と後者の光入射端面とを相近接させて光学的に直接結合されてなる半導体レーザモジュールにおいて、前記半導体レーザ素子と前記光波長変換素子とが接着剤によって固定され、前記接着剤として、半導体レーザモジュールの使用温度下におけるJIS規格番号K6253によるデュロメータ硬さ試験タイプDで測定された硬度が80未満のものが用いられていることを特徴とする半導体レーザモジュール。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
2K002AB12
, 2K002BA03
, 2K002CA03
, 2K002DA01
, 2K002EA07
, 2K002GA04
, 2K002HA20
, 5F073AA65
, 5F073AB23
, 5F073EA29
, 5F073FA22
