特許
J-GLOBAL ID：200903036238926416
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-211541
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061361
出願日： 1992年08月07日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、高集積化、層間絶縁膜の厚膜化ができるようにされたコンタクト構造を有する半導体装置を得ることを最も主要な特徴とする。【構成】 第1の導電層8を含む半導体基板1の上に、第1の導電層8を覆うように層間絶縁膜21a,22aが設けられている。層間絶縁膜21a,22a中に、第1の導電層8の表面の露出させるための接続孔17aが設けられている。接続孔17aを通って、第1の導電層8に接続されるように、半導体基板1の上に第2の導電層20aが設けられている。接続孔17aの側壁面には、エッチング速度の異なる少なくとも2種の材料層21a,22aが積重なってなる層面が現われている。
請求項（抜粋）：
第1の導電層を含む半導体基板と、前記第1の導電層を覆うように前記半導体基板の上に設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜中に設けられ、前記第1の導電層の表面の一部を露出させるための接続孔と、前記接続孔を通って、前記第1の導電層に接続されるように前記半導体基板の上に設けられた第2の導電層と、を備え、前記接続孔の側壁面には、エッチング速度の異なる少なくとも2種の材料層が積重なってなる層面が現われている、半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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