特許

J-GLOBAL ID：200903036243616832

圧電体薄膜素子

発明者： 邱 宏 ,  角 浩二 ,  島田 勝人
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-186681
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022233
出願日： 1998年07月01日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】 圧電定数が向上する構造を備えた圧電体薄膜素子を提供する。【解決手段】 圧電体薄膜素子10は上部電極40と下部電極20に挟まれる圧電体膜30を備える。圧電体膜30は複数の成分から組成され、膜厚方向と垂直な方向に隣接する領域30A、30Bの組成が互いに異なる構造をしている。この構成により、圧電体膜30を構成する成分が圧電体膜30を占有する割合を調整することで、圧電体膜30の誘電率と圧電g定数を調整することができる。従って、単一の組成の圧電体膜に比べて圧電d31定数を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

上部電極と下部電極に挟まれる圧電体膜を備える圧電体薄膜素子において、前記圧電体膜は膜厚方向と垂直な方向に隣接する領域の組成が互いに異なる、圧電体薄膜素子。

IPC (7件)：

H01L 41/09 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  B41J 2/16 ,  C04B 35/49 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/22

FI (6件)：

H01L 41/08 C ,  B41J 3/04 103 A ,  B41J 3/04 103 H ,  C04B 35/49 A ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/22 Z

Fターム (26件)：

2C057AF51 ,  2C057AF93 ,  2C057AG12 ,  2C057AG40 ,  2C057AG42 ,  2C057AG43 ,  2C057AG44 ,  2C057AP02 ,  2C057AP14 ,  2C057AP52 ,  2C057AP57 ,  2C057AQ02 ,  2C057BA04 ,  2C057BA14 ,  4G031AA03 ,  4G031AA09 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA14 ,  4G031AA32 ,  4G031BA10 ,  4G031CA08 ,  4G031GA01 ,  4G031GA05 ,  4G031GA06 ,  4G031GA11