特許
J-GLOBAL ID：200903036244222846
分子線エピタキシー装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-102295
公開番号（公開出願番号）：特開平7-288259
出願日： 1994年04月15日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：
【要約】【目的】 窒素ドーピングガスの励起が容易であり、かつ結晶成長条件に影響を及ぼすことがなく、基板上に高い品質のII-VI族化合物半導体エピタキシャル結晶を成長させることができる構造の簡単な分子線エピタキシー装置を提供する。【構成】 結晶成長室側に開口すると共に窒素ガスの供給口を具備する有底筒状のケーシングの底部に磁石が設けられ、更にケーシングの外周に高周波コイルを配設したプラズマセルからなる励起セル装置を用いて窒素ドーパントを供給することで、低圧状態でも低い高周波パワーで高いプラズマ放電発光強度が得られることから、容易にドーパントガスを励起できると共にドーピングに寄与しない窒素分子ビーム量が減り、更に放電室内壁などからの汚染物質の発生が抑制される。また、プラズマを発生させる際の結晶成長室内の圧力変動が殆どなくなり成長原料の分子ビームが安定する。
請求項（抜粋）：
基板の表面に、II族元素及びVI族元素からなる成長原料と窒素ドーパントガスとを供給することによりII-VI族化合物半導体エピタキシャル結晶を成長させる分子線エピタキシー装置であって、前記窒素ドーパントを供給する励起セル装置が、結晶成長室側に開口すると共に窒素ガスの供給口を具備する有底筒状のケーシングと、該ケーシングの底部に設けられた磁石と、前記ケーシングの外周に配設された高周波コイルとを有するプラズマ励起セルからなることを特徴とする分子線エピタキシー装置。
IPC (6件)：
H01L 21/363
, C03B 23/02
, C30B 29/48
, H01L 21/203
, H01L 33/00
, H05H 1/46
