特許
J-GLOBAL ID：200903036248150041

窒化物半導体発光素子

発明者：
大内 洋一郎

大内 洋一郎 について

, 
岡川 広明

岡川 広明 について

, 
只友 一行

只友 一行 について


出願人/特許権者：
三菱電線工業株式会社

三菱電線工業株式会社 について


代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-349445
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116794
出願日： 2003年10月08日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
【課題】 電極としての機能を維持しながらも、光をより反射し得る電極を備えたフリップチップ実装型の窒化物半導体発光素子を提供すること。 【解決手段】 結晶基板の上面側に、窒化物半導体結晶からなる発光層を含む積層体が形成され、該積層体の最上層であるコンタクト層の上面にはオーミック電極が形成され、上下方向を反転させて行うフリップチップ実装によって結晶基板の裏面側から光を取り出す構造とされたフリップチップ実装型の窒化物半導体発光素子であって、 前記オーミック電極は、細分化パターンにてコンタクト層の上面に形成された部分を有し、細分化されたオーミック電極同士の間に露出したコンタクト層上面には、発光層から発せられた光を反射し得る反射層が形成されていることを特徴とする、窒化物半導体発光素子。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
結晶基板の上面側に、窒化物半導体結晶からなる発光層を含む積層体が形成され、該積層体の最上層であるコンタクト層の上面にはオーミック電極が形成され、上下方向を反転させて行うフリップチップ実装によって結晶基板の裏面側から光を取り出す構造とされたフリップチップ実装型の窒化物半導体発光素子であって、 前記オーミック電極は、細分化パターンにてコンタクト層の上面に形成された部分を有し、細分化されたオーミック電極同士の間に露出したコンタクト層上面には、発光層から発せられた光を反射し得る反射層が形成されていることを特徴とする、窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L33/00 ,  H01L21/28
FI (3件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C ,  H01L21/28 301B
Fターム (19件)：
4M104AA04 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104CC01 ,  4M104DD24 ,  4M104DD34 ,  4M104FF11 ,  4M104GG04 ,  5F041AA04 ,  5F041AA24 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA83 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 青色発光デバイス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-289495   出願人：日亜化学工業株式会社
  • 発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-152301   出願人：三洋電機株式会社
審査官引用 (8件)
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