特許

J-GLOBAL ID：200903036265156274

超伝導単光子検出器

発明者： ローマン ソボレフスキ ,  グリゴリー エヌ.ゴルツマン ,  アレクセイ ディー.セメーノフ ,  オレグ ヴィ.オクーネフ ,  ケネス アール.ウィルシャー ,  スティーヴン エイ.カサピ
出願人/特許権者： シュルンベルジェ テクノロジーズ,インコーポレーテッド ,  ユニヴァーシティー オブ ロチェスター
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-221971
公開番号（公開出願番号）：特開2002-094133
出願日： 2001年07月23日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】 時間分解能の高い光子検出器を提供する。【解決方法】 この単光子検出器は臨界電流値近傍のレベルまでバイアスをかけた超伝導体ストリップを備える。この超伝導体ストリップは入射単光子を吸収すると認識可能な出力信号を生ずる。一つの例では、この超伝導体ストリップをNbN(窒化ニオブ)のストリップで構成する。もう一つの例では、光源からの光子の捕捉の確率を高めるようにこの超伝導体ストリップを曲がりくねった形状にする。この単光子検出器は宇宙通信、衛星通信、量子通信、量子暗号化法、微弱発光、半導体デバイス試験など多様な用途に適している。

請求項（抜粋）：

光子を検出する方法であって、超伝導体のストリップを準備する過程と、その超伝導体ストリップに電気的にバイアスをかける過程と、バイアスをかけたその超伝導体ストリップに光を導く過程とを含み、前記バイアスを前記超伝導体ストリップに入射する単光子の検出のために前記超伝導体ストリップの臨界電流の近傍のレベルにかけてある方法。

IPC (2件)：

H01L 39/22 ZAA ,  G01J 1/02

FI (2件)：

H01L 39/22 ZAA D ,  G01J 1/02 A

Fターム (18件)：

2G065AA04 ,  2G065BA40 ,  2G065BB02 ,  2G065BB06 ,  2G065BC01 ,  4M113AC21 ,  4M113AC37 ,  4M113AD36 ,  4M113AD62 ,  4M113AD63 ,  4M113BA08 ,  4M113BA11 ,  4M113BC02 ,  4M113BC04 ,  4M113CA13 ,  4M113CA14 ,  4M113CA17 ,  4M113CA34

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 超電導光応答素子およびそれを用いた超電導光電気信号変換回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-002943   出願人：株式会社日立製作所
• 電磁波検出素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-055216   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開平2-297026
  
• 超電導回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-042626   出願人：株式会社東芝