特許
J-GLOBAL ID:200903036274057580

ハニカム構造体押出用ダイスの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 森田 寛 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-211675
公開番号(公開出願番号):特開平9-057538
出願日: 1995年08月21日
公開日(公表日): 1997年03月04日
要約:
【要約】【課題】微小寸法の成形溝を有するものでも,セルの角隅部に所定の円弧形状を高精度かつ容易に形成できるようにする。【解決手段】ハニカム構造体の横断面形状と対応する横断面形状を有しダイスの前面側から後面側に向かって所定の深さを有する複数個の成形溝と,前記ダイスの後面側から前面側に向かって互いに独立して筒状に形成され前記成形溝の交差部および/または稜辺部と開口連結された複数個の原料供給口とを備えた押出用ダイスを製造するハニカム構造体押出用ダイスの製造方法において,成形溝の交差部に横断面形状を円形にかつ少なくとも成形溝の深さに相当する長さに形成した電極を挿入し,成形溝によって包囲されたセルの角隅部を電解加工により横断面を円弧形状に加工する。
請求項(抜粋):
ハニカム構造体の横断面形状と対応する横断面形状を有しダイスの前面側から後面側に向かって所定の深さを有する複数個の成形溝と,前記ダイスの後面側から前面側に向かって互いに独立して筒状に形成され前記成形溝の交差部および/または稜辺部と開口連結された複数個の原料供給口とを備えた押出用ダイスを製造するハニカム構造体押出用ダイスの製造方法において,成形溝の交差部に横断面形状を円形にかつ少なくとも成形溝の深さに相当する長さに形成した電極を挿入し,成形溝によって包囲されたセルの角隅部を電解加工により横断面を円弧形状に加工することを特徴とするハニカム構造体押出用ダイスの製造方法。
IPC (2件):
B23H 3/00 ,  B28B 3/26
FI (2件):
B23H 3/00 ,  B28B 3/26 A
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開昭56-072905
  • 特公昭51-020435
  • 特開昭57-132927

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