特許
J-GLOBAL ID:200903036277380390

半導体記憶装置、それのアクセス方法、及び、データプロセッシングシステム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 工藤 実 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-140719
公開番号(公開出願番号):特開2001-028186
出願日: 2000年05月12日
公開日(公表日): 2001年01月30日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】キャッシュメモリを通さずにデータをメモリセルから読み出し、また書き込むことで、伝送遅延を解消する。【解決手段】半導体記憶装置を複数のバンク、チャンネルメモリー3、データ制御回路4、バス21〜23とから構成する。データ制御回路4は、直接ライトアクセスモードでバス23を介してセンスアンプセクション2-sにライトデータを出力し、直接リードアクセスモードでバス23を介してセンスアンプセクション2-sにリードデータを入力し、非直接ライトアクセスモードでバス22、特定チャンネルメモリー3、バス21とを介してセンスアンプセクション2-sにライトデータを出力し、且つ、非直接リードアクセスモードでバス21、特定チャンネルメモリー3、バス22とを介して特定センスアンプセクション2-sにリードデータを入力する。
請求項(抜粋):
それぞれにメモリセルアレイとセンスアンプセクションとを備える複数のバンクと、複数のチャンネルメモリーと、データ制御回路と、前記バンクと前記チャンネルメモリーとの間に設けられる第1バスと、前記チャンネルメモリーと前記データ制御回路との間に設けられる第2バスと、前記バンクと前記データ制御回路との間に設けられる第3バスとを含み、前記データ制御回路は、直接ライトアクセスモードで前記第3バスを介して複数の前記バンクのうちから特定される1つのバンクの前記センスアンプセクションにライトデータを出力し、直接リードアクセスモードで前記第3バスを介して複数の前記バンクのうちから特定される1つのバンクの前記センスアンプセクションにリードデータを入力し、非直接ライトアクセスモードで前記第2バス、複数の前記チャンネルメモリーのうちから特定される1つ、前記第1バスとを介して複数の前記バンクのうちから特定される1つのバンクの前記センスアンプセクションにライトデータを出力し、且つ、非直接リードアクセスモードで前記第1バス、複数の前記チャンネルメモリーのうちから特定される1つ、前記2バスとを介して複数の前記バンクのうちから特定される1つのバンクの前記センスアンプセクションにリードデータを入力する半導体記憶装置。
IPC (5件):
G11C 11/401 ,  G06F 12/02 590 ,  G06F 12/08 ,  G11C 11/409 ,  G11C 11/407
FI (7件):
G11C 11/34 371 Z ,  G06F 12/02 590 B ,  G06F 12/08 P ,  G11C 11/34 354 R ,  G11C 11/34 362 S ,  G11C 11/34 362 H ,  G11C 11/34 362 C
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 半導体記憶装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-290233   出願人:日本電気株式会社
  • データ処理装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-223252   出願人:日本電気株式会社
  • 半導体記憶装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-178628   出願人:三菱電機株式会社
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