特許

J-GLOBAL ID：200903036281074580

反射フォトマスク及びその製造方法

発明者： 金 錫 必 ,  宋 利 憲 ,  金 元 柱 ,  張 丞 ▲かく▼ ,  金 勳
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (3件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-376492
公開番号（公開出願番号）：特開2006-191076
出願日： 2005年12月27日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：

【課題】EUVの吸収物質のパターンに設計された形状をシリコンウェーハに正確に具現させる反射フォトマスクを提供する。【解決手段】基板11と、基板上に形成され、超紫外線を反射させうる材料からなる反射層12と、反射層に超紫外線に対する吸収物質のイオンがイオン注入法によって注入されて所定パターンをなすイオン部20と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に形成され、超紫外線を反射させうる材料からなる反射層と、 前記反射層に前記超紫外線に対する吸収物質のイオンが、イオン注入法によって注入されて所定パターンをなすイオン部と、を備えることを特徴とする反射フォトマスク。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16

FI (2件)：

H01L21/30 531M ,  G03F1/16 A

Fターム (7件)：

2H095BA10 ,  2H095BB02 ,  2H095BB27 ,  2H095BC09 ,  2H095BC11 ,  5F046GD10 ,  5F046GD13