特許
J-GLOBAL ID：200903036281592866

併合したスプリットウエル領域を有するパワー半導体装置の製造方法および当該方法にて製造した装置

発明者：
ゼング,ジュン

ゼング,ジュン について

, 
ホイートリー,カール,フランクリン

ホイートリー,カール,フランクリン について


出願人/特許権者：
ハリス コーポレイション

ハリス コーポレイション について


代理人 (1件)： 柏原 三枝子
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-517438
公開番号（公開出願番号）：特表2001-521281
出願日： 1998年10月16日
公開日（公表日）： 2001年11月06日
要約：
【要約】合併したスプリットウエル本体領域を有するパワー半導体装置を製造する方法であって、当該方法は、ドリフト領域を内部に有し、第1の面へ延在する第1導電型(例えばN型)の半導体基体を形成するステップを具える。第2導電型(例えばP型)の第1及び第2のスプリットウエル本体領域がドリフト領域内にスペースをあけた位置に形成される。更に、第1導電型の第1及び第2のソース領域が前記第1及び第2のスプリットウエル本体領域に、それぞれ形成される。前記第1及び第2のスプリットウエル本体領域の中間位置において、前記ドリフト領域内に第2導電型の中央本体/コンタクト領域が形成される。この中央/本体コンタクト領域は好ましくは、前記第1及び第2のスプリットウエル本体領域と非整流接合を、前記スプリットウエル本体領域の最大ウエル接合深さより小さい中央接合深さにおいて前記ドリフト領域とP-N整流接合を形成する。前記第1及び第2のスプリットウエル領域の各部分に対向して、前記第1の面上に第1及び第2の絶縁ゲート電極が形成される。前記ドリフト領域の抵抗と注入条件を適正に選ぶことによって、好適なダンベル型の本体領域を形成して、デバイス内のブレークダウンの位置をデバイス特性を切り離す位置に移動させることができる。比較的高導電率のドリフト領域延在部を中央本体領域の底部に沿って設けて、デバイス特性間の結びつきの度合いを更に限定するようにしても良い。
請求項（抜粋）：
第1導電型のドリフト領域を内部に含みその面まで延在する半導体基体を形成するステップと、 前記ドリフト領域にスプリットウエル本体領域ドーパントをドライブすることによって、前記ドリフト領域内のスペースをあけた位置に第2導電型の第1及び第2のスプリットウエル本体領域を形成して、当該第1及び第2のスプリットウエル本体領域各々に対して第1及び第2の最大ウエル接合深さを実現するステップと、 前記第1のスプリットウエル本体領域に第1導電型の第1のソース領域を形成するステップと、 前記ドリフト領域内に、前記第1及び第2のスプリットウエル本体領域の中間位置に、前記第1及び第2の最大ウエル接合深さより小さい第1の接合深さ内に中央本体領域ドーパントをドライブすることによって、第2導電型の中央本体領域を形成する工程と、 前記基体上の、前記第1のスプリットウエル本体領域に対向してゲート電極を形成する工程と、を具えることを特徴とする半導体スイッチングデバイスの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 653
FI (5件)：
H01L 29/78 652 D ,  H01L 29/78 652 C ,  H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/78 653 C ,  H01L 29/78 658 B
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 特開昭63-299279
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-191259   出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
  • 特開昭63-280458

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