特許

J-GLOBAL ID：200903036282265559

化合物多結晶の製造方法

発明者： 浜村 寛
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-021199
公開番号（公開出願番号）：特開平9-208223
出願日： 1996年02月07日
公開日（公表日）： 1997年08月12日
要約：

【要約】【課題】 従来のアンプルでは、試料の量が多くなると蒸気圧制御が難しく、またアンプル形状が大きく複雑になる。【解決手段】 少なくともInとSeを含む3元以上の化合物の製造方法において、In及びSe以外の元素とInとを反応させてIn化合物を得る工程と、前記In化合物とSeを含む残り全ての元素とを反応させて3元以上の化合物を得る工程とからなる化合物多結晶の製造方法。

請求項（抜粋）：

少なくともInとSeを含む3元以上の化合物の製造方法において、In及びSe以外の元素とInとを反応させてIn化合物を得る工程と、前記In化合物とSeを含む残り全ての元素とを反応させて3元以上の化合物を得る工程と、からなる化合物多結晶の製造方法。