特許
J-GLOBAL ID：200903036285544416
プラズマCVD装置及びそのクリーニング方法
発明者：
,
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八木田 茂 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-225685
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077143
出願日： 1992年08月25日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】本発明は、プラズマCVD装置のメンテナンス時におけるクリーニングを効率良く行うようにすることを目的とする。【構成】本発明の装置ではプラズマCVD装置のクリーニング動作時に対向電極5、7間の相互距離を成膜時とは異なる距離に設定する電極間距離調整装置8が設けられる。また、本発明の方法は、対向電極間距離を、反応ガスによる成膜時より大きくすると共に反応ガスに代えてエッチングガスを真空槽内に導入し、プラズマ放電を利用してエッチング作用により各電極に堆積した不要な堆積物を除去することを特徴とする。さらに、本発明の別の方法は、対向電極間距離を反応ガスによる成膜時より小さくすると共に対向電極間に高周波電力を印加し、そして反応ガスに代えてエッチングガスを真空槽内に導入し、ナローギャップ放電を生じさせて、各電極に堆積した不要な堆積物を除去することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
排気系を備えた真空槽内にそれぞれ少なくとも一つ以上の電極単位体から成る対向電極を有し、対向電極の一方に直流または交流電力を供給でき、他方の電極に基板を装着し、反応ガスを真空槽内へ導入しながらプラズマ放電を利用して基板上に膜を堆積させるようにしたプラズマCVD装置において、装置のクリーニング動作時に対向電極間の相互距離を成膜時とは異なる距離に設定する電極間距離調整装置を設け、エッチングガスによるエッチングレートを増大できるように構成したことを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, C23F 4/00
