特許
J-GLOBAL ID：200903036290401917
電圧設定回路
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-171038
公開番号（公開出願番号）：特開平5-020883
出願日： 1991年07月11日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【目的】 電気的に書換え可能な不揮発性メモリのメモリセルのゲート電圧とドレイン電圧の差がなく、特性のばらつきにも強いメモリセルのゲート電圧設定回路を提供する。【構成】 センスアンプ回路14の電流検知回路13と同一の回路をメモリセル23のゲート4に選択ゲート20とYゲート24を介して接続することで、メモリセルのゲート4とドレイン3の電圧差をなくした。この電圧設定回路をセンスアンプの回路と同一に構成することによりプロセスのばらつき、電圧依存性、温度特性に対してもメモリセルのゲート電圧とドレイン電圧差の変動を抑えることができる。
請求項（抜粋）：
電気的に消去・書き込みが可能な不揮発性メモリ(EEPROM)における読みだし時のメモリセルのゲート電圧設定の回路をメモリセルのドレインに接続されているセンスアンプ回路と同等の回路を使用したメモリセルのゲート電圧設定回路。
引用特許：
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