電界吸収型光変調器の実装方法と光変調装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川久保新一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-185969
公開番号（公開出願番号）：特開平6-059221
出願日： 1992年06月19日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】バイアス電圧の印加時に発生する抵抗器の発熱による抵抗器の特性変化がなく、電界吸収型光変調器の変調特性に影響を与えず、低域遮断特性を生じることがなく、電界吸収型光変調器とマイクロストリップラインの心線とをつなぐボンディングワイヤが長くなることによる高周波応答特性の劣化を防止することができる電界吸収型光変調器の実装方法と光変調装置とを提供することを目的とするものである。【構成】マイクロストリップラインの誘電体基板にスルーホールを形成し、そのスルーホールに全部または途中まで金属を埋め込んでアースとし、スルーホール上に電界吸収型光変調器を実装した後に、電界吸収型光変調器の電極とマイクロストリップラインの心線とを接続するものである。また、スルーホールに電界吸収型光変調器そのものを実装するものである。

請求項（抜粋）：

電界吸収型光変調器の実装方法において、マイクロストリップラインの誘電体基板にスルーホールを形成する段階と;アースと接続すべき金属を、上記スルーホールに埋め込む段階と;上記金属に上記電界吸収型光変調器を実装する段階と;上記マイクロストリップラインの心線と上記電界吸収型光変調器の電極とを接続する段階と;を有することを特徴とする電界吸収型光変調器の実装方法。

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