特許

J-GLOBAL ID：200903036295547944

半導体シリコンウェーハの製造方法

発明者： 吉野 寿文 ,  岩下 哲郎
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 池条 重信 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-317337
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150433
出願日： 1998年11月09日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 片面にエッチング面を有しかつ平坦度にすぐれた半導体シリコンウェーハを製造する方法の提供。【解決手段】 エッチング工程を経たシリコンウェーハの片面と端面に気相成長法にてCVD酸化膜を形成し、両面同時ポリッシング前に酸化膜を設けない表面に片面ポリッシングを施して、その後の両面ポリッシング前のウェーハ平坦性の向上を図り、両面ポリッシング時の研磨量を低減して、研摩布の目づまりやウェーハ外周部のダレ形状を緩和することにより、両面同時ポリッシング品と同品位の平坦度を片面がエッチング面を有したまま達成することができる。

請求項（抜粋）：

ウェーハ全面に施すエッチング工程、一方のエッチング面と端面に施すCVD酸化膜の形成工程、酸化膜を実質的に付けない他方主面の表面部を除去する片面ポリッシング工程、他方主面の表面部を除去する両面同時ポリッシング工程とからなる半導体用シリコンウェーハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304

FI (2件)：

H01L 21/304 622 N ,  H01L 21/304 622 F