特許
J-GLOBAL ID：200903036299664015
半導体加速度センサの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-193364
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041148
出願日： 1991年08月02日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：
【要約】【構成】センサ用基板におもり部8や梁部9を形成しその上面にパッド3を被着して複数個のセンサチップを形成する工程と、上部ストッパ用基板にエッチング加工を施して隙間10を形成するとともにパッド3に対応する位置に貫通孔(窓穴)6を形成する工程と、同様に下部ストッパ用基板に隙間11を形成する工程とを有する。さらに、これらセンサチップの基板2と上部および下部ストッパ1,7とを接着する工程と、貫通孔6に沿って横および縦のダイシングを行い個々の半導体加速度セッサに分離する工程とを有する【効果】貫通孔6を形成するので、上部ストッパとセンサウェーハの目合わせを容易になるとともに、センサチップ2のパッド部3に対応する位置を開口するためのハーフスクライブの必要がないので、ストッパ張り合わせ及びダイシングにおける不要率を低減し、作業性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
センサ用半導体基板に3次元加工によりおもり部および梁部を形成し且つ上面にパッドを被着して複数個のセンサチップを形成する工程と、上部ストッパ用半導体基板にエッチング加工により下面に隙間を形成することにより複数個の上部ストッパを形成するとともに前記パッドに対応する個所に少なくとも1個の貫通孔を形成する工程と、下部ストッパ用半導体基板にエッチング加工により上面に隙間を形成することにより複数個の下部ストッパを形成する工程と、前記センサ用半導体基板の上下に前記上部ストッパ用半導体基板および前記下部ストッパ用半導体基板を接着する工程と、前記上部ストッパ用半導体基板の上から前記貫通孔に沿って行う第一および第二のダイシングにより個々の半導体加速度センサに分離する工程とを含むことを特徴とする半導体加速度センサの製造方法。
IPC (3件)：
H01H 35/14
, G01P 15/12
, H01H 11/00
