特許
J-GLOBAL ID:200903036305003387

チップ抵抗器の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-326529
公開番号(公開出願番号):特開平7-183108
出願日: 1993年12月24日
公開日(公表日): 1995年07月21日
要約:
【要約】【目的】 側面電極層として樹脂系の導電層を有するチップ抵抗器の製造方法において、上記側面電極層の密着性を向上させる方法を提供する。【構成】 セラミック基板表面に設けられたブレイク用縦溝上に沿って複数の貫通孔を形成し、各素子層を形成した後に、上記縦溝に沿ってブレイクし、得られた棒状片の長手方向両側部のそれぞれをメタルレジン系導電ペーストに浸漬して樹脂系の側面電極層を形成するようにした。
請求項(抜粋):
未焼成セラミックシートの表面に複数の縦溝及び横溝を設けるとともに、上記縦溝上に沿って複数の貫通孔を設け、この未焼成セラミックシートを焼成して、複数のブレイク用の縦溝及び横溝、並びに複数の貫通孔を有するセラミック基板を形成する工程と、上記各縦溝と横溝とによって1個のチップ抵抗器に相当する単位領域に区画されてあるセラミック基板の表面に、その縦方向に並ぶ各単位領域毎に独立し、且つ縦溝の両端に跨り、しかも上記貫通孔の少なくとも一部を覆うようにメタルグレーズ系導電ペーストを印刷してガラス系の表面電極層を形成し、次いで横方向に隣合う上記表面電極間に跨って抵抗体層を形成する工程と、上記縦溝に沿ってセラミック基板をブレイクして棒状片とする工程と、上記棒状片の長手方向に沿う両側部のそれぞれをメタルレジン系導電ペーストに浸漬することにより樹脂系の側面電極層を形成する工程と、上記棒状片を上記横溝に沿ってブレイクすることにより個々のチップ抵抗器とする工程と、を具備することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
IPC (3件):
H01C 17/06 ,  H01C 1/012 ,  H01C 7/00
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開昭62-048002
  • 特開昭61-268001
  • 特開昭62-048002
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