特許
J-GLOBAL ID：200903036312430495
半導体発光素子、半導体レーザ及び半導体発光素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-284623
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142765
出願日： 1993年11月15日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：
【要約】【目的】p型不純物のドーピング量制御の再現性がよく、特性が良好な半導体発光素子を提供すること。【構成】InP基板1上に配置された、II族及びVI族の化合物半導体で構成されるn型クラッド層2及びp型クラッド層4と、このp型及びn型クラッド層に挾まれ、クラッド層よりも禁制帯幅が狭く、電子及び正孔が注入されることにより発光する活性層3とを有し、p型クラッド層を、II族元素としてMgが、VI族元素としてSe又はSeとTeの組合せがそれぞれ主たる構成元素として含まれている化合物半導体とした半導体発光素子。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に配置された、II族及びVI族の化合物半導体で構成されるn型クラッド層及びp型クラッド層と、該n型及びp型クラッド層に挾まれ、クラッド層よりも禁制帯幅が狭く、電子及び正孔が注入されることにより発光する活性層とを有する半導体発光素子において、上記p型クラッド層は、II族元素としてMgを、VI族元素としてSe又はSeとTeの組合せをそれぞれ主たる構成元素として含む化合物半導体からなることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
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