特許

J-GLOBAL ID：200903036314743857

光スイッチ

発明者： 河野 健治 ,  蓮見 裕二 ,  神徳 正樹 ,  竹内 博昭 ,  吉本 直人 ,  渡辺 直也
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-066389
公開番号（公開出願番号）：特開平5-273605
出願日： 1992年03月24日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 小形にして、駆動電圧が低く、かつ製作性がよく挿入損失の点で優れた光スイッチを提供する。【構成】 半絶縁性InP基板14上に、ノンドープInP層15,p-InPクラッド16,第2コア5,第1コア8,InGaAsPエッチストップ層7を積層し、第2コア5の幅を第1コアの幅より狭くする。層7の上に、第2コア5の幅より広い少なくとも2つのn-InPクラッド18を配設し、これらクラッド18間を半絶縁性もしくはノンドープのInP埋め込み層4で埋め込む。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に形成された少なくともクラッド層およびコア層を有する少なくとも2本の光導波路と、該少なくとも2本の光導波路が互いに光結合可能なように制御する光スイッチ用電極とを有する光スイッチにおいて、前記基板を半絶縁性基板で構成し、幅の異なった少なくとも第1および第2のコア層で前記コア層を構成するとともに、前記少なくとも第1および第2のコア層のうち、前記第2のコア層の幅を前記第1のコア層の幅よりも狭くするとともに、前記第2のコア層を前記第1のコア層の上側もしくは下側に積層することにより幅方向に屈折率差を生じさせ、前記半絶縁性基板の上に導電媒質からなる下側クラッド層を配設し、前記第1のコア層の上側に導電媒質からなる少なくとも2つの上側クラッド層を配設し、該少なくとも2つの上側クラッドの間を半絶縁性もしくはノンドープの媒質により埋め込んだ構造としたことを特徴とする光スイッチ。