特許

J-GLOBAL ID：200903036316400442

配線形成方法

発明者： 澤田 敬二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-184667
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017796
出願日： 1995年06月28日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】 アルミニム・銅合金の配線層からCuグレインが抜け出ることなく、また配線層の側壁にポリマー膜が残らないようにできる配線形成方法を提供する。【構成】 本発明方法は、絶縁膜12上に形成されたアルミニム・銅合金からなる配線層14上にホトレジスト膜のマスクパターン16を形成する工程と、マスクパターンをマスクにして配線層を塩素系反応ガスを使用してエッチングする工程と、第1次酸素プラズマ処理によりホトレジスト膜の表面から所定深さまでホトレジスト膜を除去する工程と、アミン系有機溶剤を使用してウエハを洗浄し、ホトレジスト膜残部を除去する工程と、配線層側壁に付着している有機ポリマー成分を第2次酸素プラズマ処理により除去する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

絶縁膜上に形成されたアルミニム・銅合金からなる配線層上にホトレジスト膜のマスクパターンを形成する工程と、マスクパターンをマスクにして配線層をエッチングする工程と、第1次酸素プラズマ処理によりホトレジスト膜の表面から所定深さまでホトレジスト膜を除去する工程と、アミン系有機溶剤を使用してウエハを洗浄し、ホトレジスト膜残部及び配線層側壁に付着しているメタル系ポリマー膜を除去する工程と、配線層側壁に付着している有機ポリマー成分を第2次酸素プラズマ処理により除去する工程とを有することを特徴とする配線形成方法。