特許
J-GLOBAL ID：200903036317861125
多層ガラスセラミックキャビティ基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 宗治 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-039973
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252558
出願日： 1993年03月01日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 表面導体層の落込みをなくして、リード端子接続性、ワイヤボンディング性の優れた多層ガラスセラミックキャビティ基板を提供する【構成】 いずれも表面に内層用の導体層2,2aを有するキャビティ形成用の複数個の第1のガラスセラミックシート1及びキャビティの底板形成用の複数個の第2のガラスセラミックシート4,4aとキャビティ3aの最表層を構成し表面導体7のみを有する1個の第3のガラスセラミックシート1aとの積層組合せ体からなる多層キャビティ基板であって、第1及び第2の各ガラスセラミックシートの基板端面部とキャビティ側端面部とに接し、導体層2,2aの延長表面にこの導体層とは接続しない副導体層13を設けた。
請求項（抜粋）：
いずれも表面に内層用の導体層を有するキャビティ形成用の複数個の第1のガラスセラミックシート及び前記キャビティの底板形成用の複数個の第2のガラスセラミックシートと前記キャビティの最表層を構成し表面導体のみを有する1個の第3のガラスセラミックシートとの積層組合せ体からなる多層ガラスセラミックキャビティ基板において、前記第1及び第2の各ガラスセラミックシートの基板端面部とキャビティ側端面部とに接し、前記導体層の延長表面にこの導体層とは接続しない副導体層を設けたことを特徴とする多層ガラスセラミックキャビティ基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 N
, H01L 23/12 Q
