特許
J-GLOBAL ID：200903036319660909
薄膜太陽電池及び太陽電池の製造方法並びに半導体インゴットの製造方法及び半導体基板の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-266677
公開番号（公開出願番号）：特開平6-090013
出願日： 1992年09月08日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：
【要約】【目的】 簡単な製造プロセスで、信頼性が高く、低コストの薄膜太陽電池を得る。【構成】 薄膜太陽電池の薄膜活性層2を機械的に支持する耐熱支持基板としてプラズマ溶射により作製した基板1を用いた。【効果】 プラズマ溶射基板は多孔質であるため、不純物が基板内部の無数の空洞に捕らえられ、表面に噴出することがなくなり、基板表面への不純物の噴出による薄膜活性層の破壊を防止できる。
請求項（抜粋）：
pn接合を有する半導体薄膜活性層がこれを機械的に支持する支持基板上に形成された薄膜太陽電池において、上記支持基板はプラズマ溶射法を用いて作製されたものであることを特徴とする薄膜太陽電池。
IPC (3件)：
H01L 31/04
, H01L 21/02
, H01L 21/322
