特許
J-GLOBAL ID：200903036327935984
圧電体素子
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-043089
公開番号（公開出願番号）：特開2000-244029
出願日： 1999年02月22日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】 破壊されにくい素子形成領域を有し、信頼性の高い圧電体素子を提供する。【解決手段】 基板1の一部を他の部分に比較して薄くして素子形成領域8を形成し、素子形成領域8上に下部電極4と上部電極6とによって挟まれた動作領域を備えている圧電薄膜5を配置した。さらに素子形成領域8に動作領域の直下に位置する第1領域8aと該第1領域を除いた部分である第2領域8bとを形成し、第1領域8aを第2領域8bより薄くした。
請求項（抜粋）：
一部に、他の部分に比較して薄くした素子形成領域を有する基板と上記素子形成領域上に形成された圧電振動子とを備え、該圧電振動子が上記素子形成領域上に下部電極を介して形成された圧電薄膜と該圧電薄膜上に形成された上部電極とからなり、上記下部電極と上記上部電極とによって挟まれた圧電薄膜を動作領域とした圧電体素子であって、上記素子形成領域は上記動作領域の直下に位置する第1領域と該第1領域を除いた部分である第2領域とからなり、上記第1領域を上記第2領域より薄くしたことを特徴とする圧電体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 41/08 Z
, H03H 9/17 F
5J108AA01
, 5J108AA07
, 5J108BB04
, 5J108CC04
, 5J108CC11
, 5J108EE03
, 5J108EE04
, 5J108EE07
, 5J108KK01
, 5J108KK02
, 5J108KK07
