特許

J-GLOBAL ID：200903036331800970

実装体の製造方法

発明者： 渡邊 真
出願人/特許権者： シチズン時計株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-069604
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273162
出願日： 2002年03月14日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の突起電極の間隔を狭くして、隣接端子間の間隔が狭くなると異方性導電接着剤に混入された導電粒子が端子間で連なってショートし易くなる。また、前記導電粒子と接続端子との接続抵抗があり、大電流を端子間に流すことができない。【解決手段】 半導体装置の突起電極の表面材料と、樹脂回路基板の配線パターンの表面材料を、前記樹脂回路基板の耐熱温度より低い温度で拡散接合ができる二つの金属により構成し、樹脂回路基板上に絶縁性接着剤樹脂を形成した後に、半導体装置の突起電極と樹脂回路基板の配線パターンを当接させて熱圧着して拡散接合層を形成して実装体を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体装置の能動素子面に形成された突起電極と、樹脂回路基板上に形成された配線パターンとを接続した実装体の製造方法において、前記樹脂回路基板の耐熱温度より低い温度で拡散接合ができる二つの金属の組合わせの一方の金属で少なくとも表面が覆われた突起電極形成と、前記組合わせの他方の金属で少なくとも表面が覆われた配線パターンとを当接させて、前記拡散接合を可能とする温度で加熱加圧力を付与しながら前記突起電極の表面材料と前記配線パターンの表面材料の当接面に拡散接合層を形成する実装体形成工程を有することを特徴とする実装体の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60

FI (2件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 311 Q

Fターム (3件)：

5F044KK02 ,  5F044LL00 ,  5F044LL13