半導体センサ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊丹勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-077353
公開番号（公開出願番号）：特開平9-264799
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】 CMOS技術を用いた簡単な回路構成で高感度ディジタル出力を得ることを可能とした半導体センサを提供する。【解決手段】 CMOSセンサ回路5は、チャネルコンダクタンスが圧力により変調されるPMOSトランジスタQP1とNMOSトランジスタQN1とからなり、CMOSインバータの入出力を短絡した構成を有し、その動作点の圧力による変動を出力とする。このCMOSセンサ回路5の出力を増幅する第1のCMOS回路6は、CMOSセンサ回路5と隣接して同じ素子パラメータをもって形成される。このCMOS回路6と出力端を共通接続した第2のCMOS回路21の入力には三角波信号が供給され、その出力OUT1は、2段のCMOSインバータ22a,22bからなるコンパレータ22に入力されて、所定の論理しきい値でパルス化したパルス幅変調出力OUT2が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この基板上に形成されて入出力端子を短絡したCMOSインバータによって構成され、測定すべき物理量に感応して動作点を変動させることによりセンサ信号を出力するCMOSセンサ回路と、前記基板上に前記CMOSセンサ回路と同じ素子パラメータをもって形成されて前記CMOSセンサ回路から出力されるセンサ信号又はそれを増幅した信号が入力される第1のCMOS回路と、前記基板上に前記第1のCMOS回路と同じ素子パラメータをもって形成されて前記第1のCMOS回路と出力端子が共通接続され入力端子に三角波信号が供給される第2のCMOS回路と、前記基板上に形成されて前記第1及び第2のCMOS回路の出力を所定の論理しきい値でパルス化して前記CMOSセンサ回路の出力レベルに応じたパルス幅のパルス幅変調信号を出力するコンパレータとを備えたことを特徴とする半導体センサ。

IPC (6件)：

G01L 1/18 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 29/84 , H03K 7/08 , H03M 1/56

FI (5件)：

G01L 1/18 , H01L 29/84 C , H03K 7/08 C , H03M 1/56 , H01L 27/08 102 Z

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