特許
J-GLOBAL ID：200903036338420722
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-247433
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090192
出願日： 1991年09月26日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、コンタクト孔埋込み配線でパーティクルの発生がなく、かつ、良好なコンタクト抵抗が得られる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 Si基板上1上にSiO2 膜2及び拡散層3を形成し、これらの上にBPSG膜4を形成し、拡散層3上のコンタクト孔5を形成する。次に、Si基板1を加熱し、さらに加熱によって形成されるSiO2 膜2表面の活性領域を除去し、それからコンタクト孔5内にW膜7を埋込むようにした。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の一部を前記半導体基板表面が露出するまで除去することによってコンタクト孔を形成する工程と、前記半導体基板を加熱する工程と、前記加熱によって前記絶縁膜の表面に形成される活性領域を除去する工程と、前記コンタクト孔を金属で埋込む工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/28
, H01L 21/28 301
