半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-347134
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196490
出願日： 1992年12月25日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】シリコン単結晶半導体基板上に半導体回路素子を製造する過程において、汚染物質の除去を容易に行なうことのできる半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】シリコン単結晶半導体基板1の半導体回路素子形成面に酸化膜3を形成する工程と、前記酸化膜3上に多結晶シリコン膜4を形成する工程と、前記酸化膜3及び多結晶シリコン膜4を除去する工程を有する。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶半導体基板上に半導体回路素子を製造する方法において、前記シリコン単結晶半導体基板に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、前記酸化膜上に多結晶シリコン膜を形成する多結晶シリコン膜形成工程と、前記酸化膜及び多結晶シリコン膜を除去する除去工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭61-135128
特開平1-315144
特開昭60-089932

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