特許
J-GLOBAL ID：200903036348635565
トレンチ拡散MOSトランジスタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 康徳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-313496
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321303
出願日： 1996年11月25日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】 ゲート酸化時の偏析によるチャンネル部分の濃度低下を防止し漏洩電流を減少させて、トランジスタの特性を向上させ、高濃度のN型ソース層を形成するとき自己整列工程により進行して、マスク数を短縮し、工程単純化および製造コストを節減させることができる。【解決手段】 本発明のトレンチ拡散MOSトランジスタは、N型シリコン基板1上に薄い熱酸化膜6を成長させた後、高濃度のP型不純物を拡散させて形成する高濃度のP型バルク層2と、前記薄い熱酸化膜を浸透してN型シリコン基板の一定の厚さまでトレンチエッチングし、側壁酸化によりゲート酸化膜を成長させた後、ポリシリコンを埋立てるゲートポリ3と、高濃度のP型バルク層とゲートポリ上部に局部酸化膜を成長させ、低濃度のP型不純物を拡散させて形成する低濃度のP型バルク層4と、P型バルク層の上部にN型不純物を注入して形成する高濃度のN型ソース層5とからなる。
請求項（抜粋）：
トレンチ拡散MOSトランジスタにおいて、N型シリコン基板上に薄い熱酸化膜を成長させた後に、高濃度のP型不純物を拡散させて形成された高濃度の第1P型バルク層と、前記薄い熱酸化膜を浸透してN型シリコン基板の一定の厚さまでトレンチエッチングし、側壁酸化によりゲート酸化膜を成長させた後に、ポリシリコンを埋立てて形成されたゲートポリと、前記第1P型バルク層とゲートポリ上部に局部酸化膜を成長させた後に、低濃度のP型不純物を拡散させて形成された低濃度の第2P型バルク層と、前記第2P型バルク層の上部にN型不純物を注入して形成された高濃度のN型ソース層とを含むことを特徴とするトレンチ拡散MOSトランジスタ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 653 C
, H01L 21/94 A
, H01L 29/78 652 K
