特許

J-GLOBAL ID：200903036351938404

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 高橋 裕之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-217115
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064101
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【目的】 バンプ電極に加わる機械的応力を緩和して、接続部の信頼性を向上することが可能な技術を提供する。【構成】 半導体チップ2は一主面の外周部に配置された融点の高いAuバンプ電極14および中央部およびこの付近に配置された融点の低い半田バンプ電極16からなる、融点の異なる2種類のバンプ電極を介して、パッケージ基板1にフェースダウンボンディングされている。特に半導体チップ2の一主面の外周部に融点の高いAuバンプ電極14を配置したことにより、Auは柔軟性に優れているので、機械的応力が加わったとき、Auバンプ電極14はこれを緩和するように作用する。

請求項（抜粋）：

半導体チップをこの一主面に形成した複数のバンプ電極を介して配線基板にフェースダウンボンディングする半導体集積回路装置であって、前記複数のバンプ電極は、融点の異なる2種類の金属で構成されて各々が半導体チップの異なる位置に配置されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/321

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 602 D ,  H01L 21/92 602 Q