特許

J-GLOBAL ID：200903036357775230

半導体装置の製造方法

発明者： 吉村 充弘 ,  土田 満穂
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-033617
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237473
出願日： 2001年02月09日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：

【要約】【課題】 従来、半導体素子領域の特性モニターとして使用するTEGには金属の測定用電極を用いていた。TEGはウエファの収率を低下させないためダイシングストリート上に設けるので、ダイシング時にこの金属電極によるブレードの目詰まりや、金属片の飛散等で、半導体素子の特性および品質の低下や、歩留まりの低下などの問題があった。【解決手段】 TEGの測定用電極にポリシリコンを使用することにより、ダイシング時のブレードの目詰まりや金属片の飛散をなくし、半導体素子の特性および品質の向上と歩留まりの低下を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。

請求項（抜粋）：

ダイシングストリート上に形成するTEGの測定用電極に半導体材料を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/66 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 21/66 Y ,  H01L 21/78 L ,  H01L 27/04 A

Fターム (10件)：

4M106AA01 ,  4M106AA07 ,  4M106AB03 ,  4M106AB15 ,  4M106AB16 ,  5F038CA13 ,  5F038DT12 ,  5F038EZ12 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20