特許

J-GLOBAL ID：200903036366263632

偏極電子線発生素子の製造方法

発明者： 和田 隆夫 ,  坂 貴 ,  加藤 俊宏
出願人/特許権者： 大同特殊鋼株式会社
代理人 (1件)： 池田 治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-113404
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306349
出願日： 1996年05月08日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】極表層部のみで不純物のドーピング量が十分に多くされた偏極電子線発生素子の製造方法を提供する。【解決手段】工程2の不純物層形成工程において、偏極電子線発生素子50の表面18上に不純物シート52が載置され、工程4の電子線照射工程において、その不純物シート52の表面側から電子線が照射されると、電子ビーム照射エネルギにより発生するフレンケル欠陥を介して、Znが偏極電子線発生素子50の表層部に拡散させられる。この場合において、電子ビーム照射エネルギにより発生するフレンケル欠陥を介するZnの拡散速度は、表面拡散速度が体積拡散速度(すなわち偏極電子線発生素子50の表面18から内部に向かう深さ方向の拡散速度)よりも10桁以上大きい。そのため、その極表層部22ではZnのドーピング量が極めて多くなる一方、それよりも内部側ではZnのドーピング量が極めて少なくされる。

請求項（抜粋）：

表層部における所定の不純物のドーピング量が内部よりも多くされ、励起光が入射されることにより該表層部の表面からスピン方向が偏在している偏極電子線を発生する偏極電子線発生素子の製造方法であって、前記偏極電子線発生素子の表面上に前記所定の不純物から成る不純物層を形成する不純物層形成工程と、該不純物層の表面側から電子線を照射することにより、前記所定の不純物を前記表層部に拡散させる電子線照射工程とを、含むことを特徴とする偏極電子線発生素子の製造方法。