特許
J-GLOBAL ID：200903036376688305
ダイアタッチペースト及び半導体装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-267528
公開番号（公開出願番号）：特開2004-104043
出願日： 2002年09月13日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：
【課題】接着性、速硬化に優れた半導体用ダイアタッチペースト性及び特に耐半田クラック性等の信頼性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】(A)エポキシ樹脂、(B)エポキシ樹脂硬化剤、(C)数平均分子量500〜5000のビニル基またはカルボキシル基含有アクリロニトリル/ブタジエン共重合体、(D)1分子内に少なくとも一つのラジカル重合可能な2重結合を有する化合物、(E)ラジカル重合触媒、(F)カップリング剤及び(G)充填材を必須成分とし、成分(A)のうち下記式(1)で示されるエポキシ樹脂が50wt%以上であり、成分(B)がジシアンジアミド、イミダゾール化合物、分子内に2個以上の水酸基を有する多価フェノール化合物の中から選ばれた少なくとも二つ以上からなり、成分(G)を除く全樹脂成分中成分(A)と成分(B)の合計が40〜80wt%であることを特徴とする半導体用ダイアタッチペースト。
請求項（抜粋）：
(A)エポキシ樹脂、(B)エポキシ樹脂硬化剤、(C)数平均分子量500〜5000のビニル基またはカルボキシル基含有アクリロニトリル/ブタジエン共重合体、(D)1分子内に少なくとも一つのラジカル重合可能な2重結合を有する化合物、(E)ラジカル重合触媒、(F)カップリング剤及び(G)充填材を必須成分とし、成分(A)のうち下記式(1)で示されるエポキシ樹脂が50wt%以上であり、成分(B)がジシアンジアミド、イミダゾール化合物及び分子内に2個以上の水酸基を有する多価フェノール化合物の中から選ばれた少なくとも二つ以上からなり、成分(G)を除く全樹脂成分中成分(A)と成分(B)の合計が40〜80wt%であることを特徴とする半導体用ダイアタッチペースト。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
