特許

J-GLOBAL ID：200903036377141628

表面処理シリカの製造方法

発明者： 松村 和之 ,  山谷 正明
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 山本 亮一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-276516
公開番号（公開出願番号）：特開平7-126549
出願日： 1993年11月05日
公開日（公表日）： 1995年05月16日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 温和な条件で容易かつ均一にシリカの表面処理を行うことができ、反応性に富む有機官能基でも損なうことなく被覆させることができ、装置の損傷のない、操作性、安全性が改善された表面処理シリカの製造方法を提供する。【構成】 ケイ素原子に直結したアルコキシ基を有する有機ケイ素化合物を、Si-F結合を有するフッ素含有ケイ素化合物あるいはフッ素の塩化合物触媒の存在下、水あるいは含水有機溶剤中に分散させたシリカと反応させることを特徴とする表面処理シリカの製造方法。

請求項（抜粋）：

ケイ素原子に直結したアルコキシ基を有する有機ケイ素化合物を、Si-F結合を有するフッ素含有ケイ素化合物あるいはフッ素の塩化合物触媒の存在下、水あるいは含水有機溶剤中に分散させたシリカと反応させることを特徴とする表面処理シリカの製造方法。