特許

J-GLOBAL ID：200903036377917693

半導体装置の製造方法

発明者： 武井 学
出願人/特許権者： 富士電機デバイステクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-354785
公開番号（公開出願番号）：特開2004-186620
出願日： 2002年12月06日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：

【課題】低濃度で幅の広いバッファ層をデバイス特性を悪化させずに低コストで形成できる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】1300°C程度の高温で長時間の熱処理を行い酸素をFZウェハ100に導入し、その後、導入された酸素の内、表面の酸素を外方拡散で取り除くことで、FZウェハ100内に酸素残留層105を形成し、この酸素残留層105が残るように、FZウェハ100の裏面を研削除去し、400°C程度の低温で熱処理することで酸素残留層105をドナー化して、バッファ層とする。このように、酸素を熱拡散してバッファ層を形成するので、従来のイオン注入法によるバッファ層の形成と比べて、デバイス特性を悪化させずに低コストでバッファ層を形成することができる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

半導体基板の両面から高温で酸素を拡散する工程と、前記半導体基板の表面層の酸素を高温の熱処理で除去する工程と、前記半導体基板の一方の面を研削し厚さを半分以下とする工程と、半導体基板に残留した酸素を熱処理でドナー化する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L29/78 ,  H01L21/336

FI (5件)：

H01L29/78 655B ,  H01L29/78 652H ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 658Z