特許

J-GLOBAL ID：200903036379480225

高電力半導体モジュールのための液体冷却装置

発明者： トニー フレイ ,  アレクサンダー シュトゥック ,  レイモント ツェーリンガー
出願人/特許権者： アセア ブラウン ボヴエリ アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-241607
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125838
出願日： 1997年09月08日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】冷却面上に互いに隣合って配置された熱を発生する複数のサブモジュールを含む高電力半導体モジュールに対する液体冷却装置を提供すること。【解決課題】前記サブモジュールの各々(8a-8h)は、電気的に絶縁セラミック基板に与えられた少なくとも1つの電力半導体を有し、前記冷却面(3)に融着されており、液体冷却装置(1)は、冷却液が流れる冷却スペース(4)を囲むハウジングを有し、その上側に冷却面を形成している。液体冷却装置(1)のハウジング(2)は、少なくとも冷却面の領域において、金属-セラミックの複合材料から注型され、その熱膨張係数はセラミック基板の熱膨張係数、或いはサブモジュールの電力半導体デバイスの熱膨張係数に適合され、更に、冷却面(3)と冷却液間の熱伝達を増進するために複数のピンが液体冷却装置(1)の液体スペース(4)に設けられている。

請求項（抜粋）：

冷却面上に互いに隣合って配置された熱を発生する複数のサブモジュール(8a-8h)を含む高電力半導体モジュール(14)に対する液体冷却装置(1)であって、前記サブモジュールの各々は、電気的に絶縁セラミック基板に設けられた少なくとも1つの電力半導体を有し、前記冷却面(3)に融着されており、前記液体冷却装置(1)は、冷却液が流れる冷却スペース(4)を囲むハウジングを有し、その上側が冷却面を形成している液体冷却装置において、前記液体冷却装置(1)のハウジング(2)は、少なくとも冷却面の領域において、金属-セラミックの複合材料から注型され、その熱膨張係数はセラミック基板の熱膨張係数、或いはサブモジュール(8a-8h)の電力半導体デバイスの熱膨張係数に適合され、且つ冷却面(3)と冷却液間の熱伝達を増進するための追加手段(11a-11h)が液体冷却装置(1)の液体スペース(4)に設けられている、ことを特徴とする液体冷却装置。

IPC (3件)：

H01L 23/473 ,  H01L 23/373 ,  H05K 7/20

FI (3件)：

H01L 23/46 Z ,  H05K 7/20 N ,  H01L 23/36 M