特許

J-GLOBAL ID：200903036383567750

半導体装置の製造方法

発明者： 清水 哲司 ,  志田 吉克
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-085563
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291565
出願日： 1992年04月07日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】ゲート絶縁膜の耐圧特性が向上した半導体装置を短時間で製造する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】半導体基板1上に形成されたゲート絶縁膜2上に、非晶質シリコン膜3を形成し、この上に、多結晶シリコン膜4を形成する。次に、前記非晶質シリコン膜3及び多結晶シリコン膜4に、不純物を導入してゲート電極部とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する半導体装置の製造方法において、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜上に、非晶質シリコン膜を形成する第1工程と、前記非晶質シリコン膜上に、多結晶シリコン膜を形成する第2工程と、前記非晶質シリコン膜及び多結晶シリコン膜に、不純物を導入する第3工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-025072
  
• 特開平2-298074
  
• 特開平4-326766