ドライエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-060755
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275568
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】 Si3 N4 層に対して高選択比を維持しながらSiO2 層をエッチングする。【構成】イオン密度が1011イオン/cm3 以上の高密度プラズマを生成できるドライエッチング装置内で、一般式Cx Fy (ただし、y≦x+2)で表されるフルオロカーボン(FC)・ガスを用いる。ECRプラズマ等の高密度プラズマ中ではガスの解離が高度に進行するので、従来のRFプラズマ等では炭素系ポリマーの堆積しか起こらなかったC6 F6 ガスからも効率良くCF+ が生成し、SiO2 層間絶縁膜4を高速エッチングすることができる。一方、上記FCガスのC/F比が大きいので過剰なF* が生成せず、Si3 N4 下地膜3に対しては高選択性が得られる。逆にSi3 N4 層をマスクとしてSiO2 層をエッチングした場合には、高いマスク選択性が得られる。

請求項（抜粋）：

イオン密度が1011イオン/cm3 以上のプラズマを生成可能なエッチング装置内で、一般式Cx Fy (ただし、x,yは自然数であり、y≦x+2の関係を満たす。)で表されるフルオロカーボン系化合物を主体とするエッチング・ガスのプラズマを生成させ、窒化シリコン系材料層の上に形成された酸化シリコン系材料層を選択的にエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法

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