特許

J-GLOBAL ID：200903036394794058

II-VI族化合物半導体結晶の成長方法

発明者： 並川 靖生
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 萩原 亮一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-305191
公開番号（公開出願番号）：特開2000-128699
出願日： 1998年10月27日
公開日（公表日）： 2000年05月09日
要約：

【要約】【課題】 昇華法又はハロゲン化学輸送法で種結晶上にII-VI族化合物半導体結晶を成長させるときに、前記支持部材から種結晶に加わる応力を抑制して、結晶性に優れたII-VI族化合物半導体結晶の結晶成長方法を提供しようとするものである。【解決手段】 成長室中に原料多結晶を配置し、昇華法又はハロゲン化学輸送法で種結晶上にII-VI族化合物半導体結晶を成長させる方法において、前記種結晶の裏面を予め平滑に仕上げておき、種結晶支持部材を可視光及び/又は赤外光に対してほぼ透明な材質で構成し、前記支持部材の少なくとも一端を平滑面に仕上げ、該平滑面を通しての可視光及び/又は赤外光の実効的透過率が中心部では高く、周辺部では低くなるように前記支持部材を構成し、前記支持部材の平滑面上に前記種結晶の平滑面を密着させて結晶成長を行うことを特徴とするII-VI族化合物半導体結晶の成長方法である。

請求項（抜粋）：

成長室中に原料多結晶を配置し、昇華法又はハロゲン化学輸送法で種結晶上にII-VI族化合物半導体結晶を成長させる方法において、前記種結晶の裏面を予め平滑に仕上げておき、種結晶支持部材を可視光及び/又は赤外光に対してほぼ透明な材質で構成し、前記支持部材の少なくとも一端を平滑面に仕上げ、該平滑面を通しての可視光及び/又は赤外光の実効的透過率が中心部では高く、周辺部では低くなるように前記支持部材を構成し、前記支持部材の平滑面上に前記種結晶の平滑面を密着させて結晶成長を行うことを特徴とするII-VI族化合物半導体結晶の成長方法。

IPC (3件)：

C30B 29/48 ,  C30B 23/06 ,  H01L 21/363

FI (3件)：

C30B 29/48 ,  C30B 23/06 ,  H01L 21/363

Fターム (13件)：

4G077AA02 ,  4G077BE31 ,  4G077DA02 ,  4G077DA19 ,  4G077EG11 ,  5F103AA10 ,  5F103BB33 ,  5F103DD21 ,  5F103DD23 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103RR06