特許

J-GLOBAL ID：200903036395360663

半導体装置およびその動作方法

発明者： 小玉 光文 ,  杉浦 和司 ,  山内 幸夫 ,  坂本 直哉 ,  荒井 三千男
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所 ,  ティーディーケイ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-314135
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142694
出願日： 1993年11月19日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】 光信号を電気信号として増幅する機能を有する固体撮像素子を得る。【構成】 絶縁膜を介してシリコン基板上に形成された結晶性の珪素薄膜を用いた薄膜トランジスタにおいて、ゲイト電極に電圧を印加した状態で当該薄膜トランジスタの活性層領域に光を照射し、その際のソース・ドレイン間を流れる電流より光信号を電気信号として計測する。活性層領域を構成する珪素薄膜を結晶性珪素薄膜とすることで、光照射によって発生するキャリアの104 〜105 倍の電流変化を得ることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有するシリコン基板上に設けられた結晶性を有するシリコンを用いた活性層と、前記活性層上に形成されたゲイト絶縁膜と、前記活性層に接してソース領域とドレイン領域と、を有し、前記活性層は、光が照射されることで光キャリアを発生させ、前記光キャリアの内、ゲイト絶縁膜との界面近傍を流れるキャリアと反対の極性を有する光キャリアが該活性層内に一時的に蓄積されることで、前記活性層領域の抵抗は変化し、該活性層領域の抵抗変化に従うソース・ドレイン間を流れる電流変化から、前記活性層に照射された光を検出することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 29/786 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 27/14 C ,  H01L 29/78 311 J ,  H01L 31/10 E

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-233774
  
• 固体イメージセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-097889   出願人：セイコーエプソン株式会社