特許
J-GLOBAL ID:200903036395679694

発光ダイオード

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青山 葆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-159242
公開番号(公開出願番号):特開平6-005912
出願日: 1992年06月18日
公開日(公表日): 1994年01月14日
要約:
【要約】【目的】 無効発光を減少させて外部量子効率を改善できる発光ダイオードを提供する。【構成】 発光ダイオード(半導体チップ)の表面30に設けられた表面面電極16とがパッド部18と、このパッド部18から線状に延びる第1次の分枝19a,...,19dを有する。さらに、各第1次の分枝19a,...,19dから分岐して線状に延びる第2次の分枝20a,20b,20cと、各第2次の分枝20a,20b,20cから分岐して線状に延びる第3次の分枝22a,22b,22cを少なくとも有する。この表面電極16のパターンに沿って、発光層を含む半導体層31が直下に設けられている。半導体層31は、チップ表面30で突起したメサ状をなしている。
請求項(抜粋):
半導体チップの表面に、発光層を含む半導体層と表面電極とが順に積層され、上記発光層が発した光を上記半導体層のうち上記表面電極で覆われていない部分からチップ外へ光を出射する発光ダイオードにおいて、上記表面電極は、パッド部と、上記パッド部から線状に延びる第1次の分枝と、上記第1次の分枝から分岐して線状に延びる第2次の分枝と、さらに上記第2次の分枝から分岐して線状に延びる第3次の分枝を少なくとも有し、上記半導体層は、上記表面電極のパターンに沿って設けられ、上記チップ表面で突起したメサ状をなしていることを特徴とする発光ダイオード。

前のページに戻る